Đáng tiếc là hạ xung nhịp!

Mới đây, chuyên trang Android Authority dẫn nguồn tin từ leaker Yogesh Brar cho biết, thông số kỹ thuật của chip Snapdragon 8 Gen 3 for Galaxy sẽ có nhiều điểm khác biệt so với phiên bản tiền nhiệm. Theo đó, phiên bản dành cho dòng Galaxy năm nay sẽ có lõi CPU hiệu suất và GPU được ép xung để gia tăng hiệu năng cũng như tốc độ xử lý AI. Tuy nhiên, các lõi hiệu suất và tiết kiệm điện trên phiên bản này lại bị hạ xung nhịp thay vì được tăng như lõi hiệu suất.

Thông số kỹ thuật của Snapdragon 8 Gen 3 for Galaxy (Rò rỉ)

Cụ thể, leaker Yogesh Brar cho biết phiên bản Snapdragon 8 Gen 3 for Galaxy sẽ có cấu trúc nhân tương tự phiên bản thông thường nhưng có một số khác biệt về tốc độ xung nhịp. Cụ thể, lõi hiệu suất cao (Cortex-X4) được ép xung từ 3,3Ghz lên 3,4Ghz nhưng lõi hiệu suất (Cortex-A720) và tiết kiệm điện (Cortex-A520) lại bị hạ xung nhẹ. Đây là một quyết định khá khó hiểu đến từ Qualcomm bởi các phiên bản đặc biệt trước đây chỉ có lõi được ép xung chứ không bị hạ xung như Snapdragon 8 Gen 3 for Galaxy.

Bên cạnh CPU, Snapdragon 8 Gen 3 for Galaxy được cho là sẽ có GPU xung nhịp cao hơn để cải thiện tốc độ xử lý AI. Dựa theo video về cảm biến mới của Samsung, nhiều khả năng GPU trên con chip này sẽ gia tăng tốc độ xử lý của ISOCELL Zoom Anyplace – một tính năng sử dụng AI để theo dõi đối tượng chuyển động và giảm độ rung lắc trong quá trình quay video.

Dự kiến, Snapdragon 8 Gen 3 for Galaxy sẽ được trang bị trên dòng Galaxy S24 mới của Samsung. Theo thông tin từ trang SBS Biz và leaker Ice Universe, hãng sẽ công bố dòng máy này tại sự kiện Unpacked vào ngày 17/01/2024 tại San Francisco, Mỹ.

Theo: Android Authority